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產(chǎn)品導(dǎo)航
當(dāng)前位置: 首頁 產(chǎn)品中心 可靠性測試設(shè)備 分立器件實驗設(shè)備 功率器件 功率器件動態(tài)老化系統(tǒng) (DHTOL2000)

功率器件動態(tài)老化系統(tǒng)(DHTOL2000)

該系統(tǒng)可對MOSFET器件及第三代SiC、GaN器件進(jìn)行動態(tài)老化和測試,老化過程中實時監(jiān)測被測器件的峰值電流、工作電壓、導(dǎo)通電阻,并根據(jù)需要記錄老化試驗數(shù)據(jù),導(dǎo)出試驗報表。

功能
  • 高頻動態(tài)電壓、電流老化
  • 整機(jī)60s的全工位數(shù)據(jù)刷新
  • 獨特保護(hù)電路,單位器件擊穿不影響其他工位老化進(jìn)程
  • 可定制區(qū)位老化電壓獨立控制功能,實現(xiàn)單工位老化超限剔除
產(chǎn)品特性

試驗溫區(qū)

1 個

試驗溫度

室溫

老化試驗區(qū)

32區(qū)(16/32區(qū)可選)

單區(qū)工位數(shù)

20(典型)

老化電壓范圍

0~650V、精度:±(2%+0.1V)

電流檢測范圍

0~1A、精度:±(2%+0.05A)

脈沖頻率

50KHz~200kHz、精度:1%±2LSB

占空比

30%~70%、精度:2%

導(dǎo)通電阻Rds(on)

30mΩ~ 5Ω、精度:10%

整機(jī)供電

三相AC380V±38V

最大功率

25KW(典型)

整機(jī)重量

1100KG(典型)

整機(jī)尺寸

2075mm(W)×1350mm(D)×2020mm(H)

適用標(biāo)準(zhǔn)

GJB128 MIL-STD-750D AEC-Q101 AQG324 JESD22

適用器件

適用于各種大中小功率MOSFET管器件及第三代SiC、GaN器件