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產(chǎn)品導(dǎo)航

高溫動(dòng)態(tài)柵偏老化測(cè)試系統(tǒng)(DHTGB2010)

該系統(tǒng)針對(duì)第三代SiC MOSFET具有動(dòng)態(tài)柵偏老化測(cè)試能力,每塊試驗(yàn)區(qū)可獨(dú)立老化測(cè)試12工位,獨(dú)立12路可配置脈沖,測(cè)試柵極漏電流相互之間不干擾??蔀槠骷峁┦覝?10°C~200°C的試驗(yàn)溫度。具有試驗(yàn)器件短路脫離試驗(yàn)功能,可自動(dòng)將故障器件脫離老化試驗(yàn)回路,不影響其他器件的正常試驗(yàn)。

功能
  • 高速dv/dt>1V/ns
  • nA級(jí)漏電流測(cè)試
  • 閱值電壓測(cè)試
  • 可根據(jù)不同器件封裝、功率等要求,定制專(zhuān)用老化測(cè)試板
  • 充分的實(shí)驗(yàn)員人體安全考慮設(shè)定
產(chǎn)品特性

試驗(yàn)溫度

室溫+10℃~200℃(熱板形式加熱)

老化測(cè)試區(qū)

8區(qū)(可擴(kuò)容)

單區(qū)工位

12(典型)

試驗(yàn)方法

VDs =0VaVGS,off = VGS,min,recom and VGS,on =VGS,max

VGS電壓控制檢測(cè)

試驗(yàn)控制范圍:±35V

檢測(cè)誤差:±1%±2LSB:電壓分辨率:0.01V

沖控制

1.脈沖頻率(方波):15KHz~500kHz; 精度:2%±2LSB

2.方波占空比5%~95%; 精度:±2%

3.動(dòng)態(tài)DGS試驗(yàn)時(shí),柵極電壓斜率可達(dá)dv/dt>1V/ns(Ciss<5nF)

4.電壓過(guò)沖<10% (測(cè)試電壓幅度大于25V)

閥值電壓VGSTH

1.VGS電壓測(cè)控范圍:1~10V

2.分辨率為0.01V,精度:1%±0.01V

IGS漏電流檢測(cè)

檢測(cè)范圍:1nA-99.9uA

第一檔1nA -99nA 分辨率1nA 漏電流測(cè)量誤差:1%±2LSB

第二檔100nA -999nA 分辨率10nA 漏電流測(cè)量誤差:1%±2LSB

第三檔1uA~99.9uA 分辨率100nA 漏電流測(cè)量誤差:1%±2LSB

整機(jī)供電

三相AC380V±38V

整機(jī)重量

700KG

整機(jī)尺寸

800mm(w)x1400mm(D)x1950mm(H)

適用標(biāo)準(zhǔn)

AEC-Q101 AEC-Q102 AQG324 JESD22-A101

適用器件

可對(duì)半導(dǎo)體分立器件(SiC MOSFET單管及模塊)進(jìn)行高溫動(dòng)態(tài)柵偏試驗(yàn)