高溫動(dòng)態(tài)柵偏老化測(cè)試系統(tǒng)(DHTGB2010)
該系統(tǒng)針對(duì)第三代SiC MOSFET具有動(dòng)態(tài)柵偏老化測(cè)試能力,每塊試驗(yàn)區(qū)可獨(dú)立老化測(cè)試12工位,獨(dú)立12路可配置脈沖,測(cè)試柵極漏電流相互之間不干擾??蔀槠骷峁┦覝?10°C~200°C的試驗(yàn)溫度。具有試驗(yàn)器件短路脫離試驗(yàn)功能,可自動(dòng)將故障器件脫離老化試驗(yàn)回路,不影響其他器件的正常試驗(yàn)。
功能
- 高速dv/dt>1V/ns
- nA級(jí)漏電流測(cè)試
- 閱值電壓測(cè)試
- 可根據(jù)不同器件封裝、功率等要求,定制專(zhuān)用老化測(cè)試板
- 充分的實(shí)驗(yàn)員人體安全考慮設(shè)定
產(chǎn)品特性
試驗(yàn)溫度 | 室溫+10℃~200℃(熱板形式加熱) |
老化測(cè)試區(qū) | 8區(qū)(可擴(kuò)容) |
單區(qū)工位 | 12(典型) |
試驗(yàn)方法 | VDs =0VaVGS,off = VGS,min,recom and VGS,on =VGS,max |
VGS電壓控制檢測(cè) | 試驗(yàn)控制范圍:±35V 檢測(cè)誤差:±1%±2LSB:電壓分辨率:0.01V |
脈沖控制 | 1.脈沖頻率(方波):15KHz~500kHz; 精度:2%±2LSB 2.方波占空比5%~95%; 精度:±2% 3.動(dòng)態(tài)DGS試驗(yàn)時(shí),柵極電壓斜率可達(dá)dv/dt>1V/ns(Ciss<5nF) 4.電壓過(guò)沖<10% (測(cè)試電壓幅度大于25V) |
閥值電壓VGSTH | 1.VGS電壓測(cè)控范圍:1~10V 2.分辨率為0.01V,精度:1%±0.01V |
IGS漏電流檢測(cè) | 檢測(cè)范圍:1nA-99.9uA 第一檔1nA -99nA 分辨率1nA 漏電流測(cè)量誤差:1%±2LSB 第二檔100nA -999nA 分辨率10nA 漏電流測(cè)量誤差:1%±2LSB 第三檔1uA~99.9uA 分辨率100nA 漏電流測(cè)量誤差:1%±2LSB |
整機(jī)供電 | 三相AC380V±38V |
整機(jī)重量 | 700KG |
整機(jī)尺寸 | 800mm(w)x1400mm(D)x1950mm(H) |
適用標(biāo)準(zhǔn)
AEC-Q101 AEC-Q102 AQG324 JESD22-A101
適用器件
可對(duì)半導(dǎo)體分立器件(SiC MOSFET單管及模塊)進(jìn)行高溫動(dòng)態(tài)柵偏試驗(yàn)